屏蔽层搭接不良会显著降低电磁兼容性，导致电磁干扰泄漏、地电位差增大、系统稳定性下降，并可能引发设备故障或通信中断。以下是具体影响及分析：
一、电磁屏蔽效能下降
缝隙与孔洞泄漏
屏蔽层搭接不良会形成缝隙或孔洞，成为电磁波泄漏的通道。高频电磁波（如射频干扰）对微小缝隙敏感，即使0.1mm的间隙也可能导致屏蔽效能大幅降低。例如，某通信设备因屏蔽机箱搭接不良，辐射发射超标达10dB，整改后通过优化搭接结构（如增加导电衬垫）才满足标准。接触电阻增大
搭接不良会导致接触面不平直、不密合或存在氧化层，增大接触电阻。根据电磁屏蔽理论，接触电阻每增加0.1Ω，屏蔽效能可能下降5-10dB。例如，某工业控制柜因屏蔽层未360°端接，导致共模电流泄漏，形成较大电流回路面积，干扰其他设备正常运行。
二、地电位差与地环路干扰
地电位差增大
屏蔽层搭接不良会导致接地系统阻抗不均，形成地电位差。当屏蔽层两端地电位差超过1V（rms）时，可能引发地环路电流，通过信号线耦合产生干扰。例如，某医疗设备因屏蔽电缆未单点接地，导致地电位差达2V，引发心电图信号失真。地环路电流耦合
若屏蔽层两端接地，地电位差会驱动地环路电流，在屏蔽层中产生附加磁场，干扰缆内信号。例如，某数据中心因屏蔽线缆两端接地，导致双绞线中出现杂散环流，造成电流不平衡，影响网络通信稳定性。
三、系统稳定性与安全性风险
设备性能下降
屏蔽层搭接不良可能导致设备对外部电磁干扰的抗扰度降低。例如，某变频器信号线屏蔽层未压接在插头铁片上，导致PLC与变频器通信受干扰，引发电机过载提示，影响设备正常运行。安全隐患增加
在强电磁干扰环境中，屏蔽层搭接不良可能导致设备误动作或损坏。例如，某电力设备附近因屏蔽体未采用高磁导率材料（如铁氧体），低频磁场穿透屏蔽层，引发继电器误动作，导致停电事故。
四、整改措施与优化方向
优化搭接结构
减少缝隙：采用永久性接缝（如连续焊接）或导电衬垫填充缝隙，确保屏蔽体密封性。
360°端接：屏蔽电缆屏蔽层需在进、出金属机壳时与机壳360°搭接，降低搭接阻抗。例如，某通信设备通过改用屏蔽连接器，将屏蔽层与连接器护套紧密接触，使系统满足RE102辐射发射要求。
改进接地设计
单点接地：低频信号（<1MHz）宜采用单点接地，避免地环路电流。例如，计算机监控系统模拟信号回路控制电缆屏蔽层采用集中式一点接地，有效抑制电场干扰。
多点接地：高频信号（>10MHz）宜采用多点接地，降低地线阻抗。例如，某射频设备通过增加接地点数量，将地线阻抗从0.5Ω降至0.1Ω，显著提升屏蔽效能。
材料与工艺升级
高导电材料：选用铜、铝等高导电材料制作屏蔽层，提升反射损耗。例如，某高精度设备采用铜屏蔽体，有效阻挡高频电磁波入侵。
高磁导率材料：在低频磁场屏蔽场景中，选用铁、镍等铁磁性材料，通过磁滞损耗和涡流损耗吸收电磁能量。例如，某电力设备附近采用铁氧体屏蔽体，显著降低低频磁场干扰。
